赫爾納-供應(yīng)德國直采microchemicals光刻膠赫爾納-供應(yīng)德國直采microchemicals光刻膠
赫爾納貿(mào)易優(yōu)勢供應(yīng),德國總部直接采購,近30年進(jìn)口工業(yè)品經(jīng)驗(yàn),原裝產(chǎn)品,支持選型,為您提供一對一好的解決方案:貨期穩(wěn)定,快速報(bào)價(jià),價(jià)格優(yōu),在中國設(shè)有8大辦事處提供相關(guān)售后服務(wù).
microchemicals光刻膠主要產(chǎn)品:
1. 光刻膠
2. 增粘劑
3. 蝕刻混合物
4. 電鍍
microchemicals光刻膠產(chǎn)品型號:
l AZ ® 15nXT
microchemicals光刻膠產(chǎn)品特點(diǎn):
光刻膠正抗、負(fù)抗和反轉(zhuǎn)抗蝕劑
在正性抗蝕劑的情況下,由于在那里發(fā)生茚羧酸的形成,曝光區(qū)域變得可溶于顯影劑中。由于正性抗蝕劑不交聯(lián),過其軟化點(diǎn)(約 100-130°C)會(huì)導(dǎo)致抗蝕劑輪廓變圓。
microchemicals光刻膠產(chǎn)品應(yīng)用:
microchemicals光刻膠另一方面,負(fù)性抗蝕劑如AZ ® nLOF 2000 系列或AZ ® 15nXT和AZ ® 125nXT,通過隨后的烘烤步驟在曝光區(qū)域交聯(lián)(對于AZ ® 125nXT不是必需的)并保留在顯影后的底材。
在高溫下,交聯(lián)也可以油漆輪廓變圓。然而,在高工藝溫度下,熱交聯(lián)度會(huì)增加到這樣的程度,以至于濕化學(xué)剝離變得困難甚至不可能。
microchemicals光刻膠圖像反轉(zhuǎn)抗蝕劑可以正片和負(fù)片兩種方式處理。雖然在正模式下,與正抗蝕劑的工藝順序相同,但負(fù)模式曝光后反向烘烤步驟,然后是泛光曝光。樹脂的交聯(lián)僅在負(fù)模式下發(fā)生很小的程度,因此油漆結(jié)構(gòu)在油漆軟化點(diǎn)以上變得圓潤
microchemicals光刻膠適當(dāng)?shù)耐繉?/span>
microchemicals光刻膠旋涂是用光刻膠涂覆基材的常用方法。幾乎的 AZ ®和 TI 涂料都為此進(jìn)行了優(yōu)化,并允許平滑且非常均勻的層厚。所到的涂料層厚度與旋轉(zhuǎn)速度的平方根的倒數(shù)成正比,因此可以在每種涂料的特定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整。由于邊緣珠在低旋轉(zhuǎn)速度下更明顯,因此應(yīng)使用AZ ® 4562或AZ ® 9260等高粘度涂料和合適的旋轉(zhuǎn)曲線來獲得較大的漆膜厚度。
噴涂 還允許涂覆高度紋理化的基材。為獲得均勻的漆層厚度、光滑的漆面和良好的邊緣覆蓋率,使用具有不同蒸氣壓的不同溶劑的優(yōu)化混合物,如在噴漆AZ ® 4999或TI Spray中預(yù)設(shè)的那樣。
浸涂 可以在大平方米范圍內(nèi)的大型矩形基材上進(jìn)行非常具有成本效益(高油漆產(chǎn)量?。┑耐繉印榱嗽谡麄€(gè)基板表面上獲得均勻的抗蝕劑層厚度,對溶劑成分進(jìn)行佳調(diào)整,就像MC Dip Coating Resist一樣。
干化學(xué)蝕刻具有盡可能高的軟化點(diǎn)和垂直抗蝕劑邊緣的抗蝕劑掩模。為此,AZ ® 701 MIR 14cps或29cps針對非常高的分辨率要求進(jìn)行了優(yōu)化。油漆僅在 130°C 左右開始變圓。
厚抗蝕劑處理:如果過 5 µm 的抗蝕劑層厚度,則使用適當(dāng)?shù)暮窨刮g劑,例如AZ ® 4562或AZ ® 9260,或負(fù)性AZ ® 15nXT或AZ ® 125nXT。除了層厚約 10 µm 的垂直油漆邊緣外,后者還由于其交聯(lián)性而提供出色的熱穩(wěn)定性。
漆膜厚度
許多針對特定應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化的光刻膠可提供各種調(diào)整后的粘度,以實(shí)現(xiàn)大范圍的抗蝕劑層厚度。通常后兩位數(shù)字表示清漆以 100 nm 為單位(在本例中為 3.2 µm),在 4000 rpm(無 Gyrset)下到的抗蝕劑層厚度??刮g劑層厚度隨著旋轉(zhuǎn)速度的平方根而減?。ɡ?span>AZ ® 4533:在 2000 ... 4000 ... 6000 rpm 時(shí)為 4.0 µm ... 3.3 µm ... 2.3 µm),因此一定的粘度,所到的漆層厚度可以在一定范圍內(nèi)調(diào)整。如果要擴(kuò)大這些限制,建議使用另一個(gè)可用的粘度等級。通過用 PGMEA (= AZ ® EBR Solvent ) 稀釋高粘度光刻膠) 或其他合適的溶劑(例如乙酸丁酯或乳酸乙酯),具有不同抗蝕劑層厚度的工藝基本上可以使用一種光刻膠進(jìn)行。然而,應(yīng)該注意的是,稀釋的光刻膠傾向于形成不同程度的顆粒,這取決于光刻膠系統(tǒng)。由于粒子本身由光引發(fā)劑組成,因此即使在粒子過濾后,光刻膠的性能也會(huì)受到限制:暗磨損增加(未曝光的光引發(fā)劑 = 顯影劑中的抑制劑),顯影速率下降,即光刻膠的度下降.
用薄光刻膠堆積厚光刻膠層是有問題的,原因有兩個(gè):為此所需的低旋轉(zhuǎn)速度會(huì)增加邊緣珠,并且薄光刻膠中通常高濃度的光引發(fā)劑會(huì)導(dǎo)致強(qiáng)烈的 N2 形成,并伴有起泡和/或應(yīng)力當(dāng)已經(jīng)形成的厚抗蝕劑層暴露在光線下時(shí)會(huì)出現(xiàn)裂縫,或者無法進(jìn)行透光曝光。
光譜靈敏度